美國考慮提高對中國出口關(guān)鍵半導(dǎo)體部件和技術(shù)的限制。

三星電子和SK海力士可能別無選擇，只能將他們的業(yè)務(wù)范圍限制在已經(jīng)擁有主要半導(dǎo)體制造廠的國家。盡管韓國政府小心謹(jǐn)慎，不要站在世界上兩個最大經(jīng)濟(jì)體之間正在進(jìn)行的芯片生產(chǎn)“軍備競賽”中，但韓國芯片制造商正在大致上與美國政府設(shè)定的方向保持一致。

半導(dǎo)體行業(yè)的一位不愿透露姓名的消息人士說：“在特朗普時代的制裁之后，三星電子和SK海力士去年切斷了向華為的芯片供應(yīng)，這一事實表明它們與美國的政策保持同步?！?/span>

消息人士說：“他們不會明確提到他們與美國站在一邊，但這樣做是因為美國及其盟國日本和荷蘭對高端芯片制造工具和零件擁有強(qiáng)大的控制力。”

去年，美國政府禁止向華為和中芯國際（SMIC）銷售使用美國技術(shù)的組件。

鑒于美國和盟國在關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)上的鎖定程度，這些限制使得韓國公司幾乎不可能與目標(biāo)中國公司打交道。

一位當(dāng)?shù)卦O(shè)備制造商的消息人士說：“美國在半導(dǎo)體設(shè)備上的影響力很大，占據(jù)了大部分市場份額?！?/span>

韓國公司在中國土地上進(jìn)行的最后一次設(shè)施投資可以追溯到2019年，當(dāng)時美國總統(tǒng)唐納德·特朗普（Donald Trump）仍未收緊對中國來自美國制造的半導(dǎo)體設(shè)備出口。

三星電子宣布在2019年對其西安的芯片廠進(jìn)行80億美元的投資，以擴(kuò)大NAND閃存的產(chǎn)能。

在斥資9,500億韓元在無錫建立工廠之后，SK海力士于同年完成了其DRAM工廠的擴(kuò)建。

一位知情人士說：“ SK海力士沒有計劃擴(kuò)大其在無錫的DRAM工廠的生產(chǎn)能力?！?/span>

三星電子拒絕置評。

由于中國相對較低的地價和勞動力成本，中國一直是內(nèi)存芯片生產(chǎn)線的首選目的地。對于三星電子和SK hynix而言，中國是韓國以外唯一擁有內(nèi)存芯片工廠的國家。

現(xiàn)在，他們在中國的投資計劃取決于美國新政府的行動，而拜登政府可能會發(fā)起更廣泛的運動，以遏制各種技術(shù)的出口。

由谷歌前首席執(zhí)行官埃里克·施密特（Eric Schmidt）主持的美國國會咨詢委員會國家安全委員會起草的一項政策建議，呼吁美國政府與盟國合作，阻止將關(guān)鍵的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)給中國。國務(wù)院和商務(wù)部應(yīng)與荷蘭和日本政府合作，調(diào)整所有三個國家在高端半導(dǎo)體制造設(shè)備（特別是極紫外（EUV）和氟化氬（ArF）浸沒式光刻設(shè)備）方面的出口許可程序，推定拒絕向中國出口此類設(shè)備的許可證的政策。

這項提議超出了現(xiàn)有制裁措施的一步，現(xiàn)有制裁限制了由荷蘭ASML獨家向中國芯片制造商出口EUV設(shè)備。

如果政府在禁令中增加氟化氬浸沒式光刻設(shè)備，此舉可能會影響中國存儲芯片的制造。

一家本地存儲芯片制造商的消息人士說：“主流的DRAM和NAND閃存產(chǎn)品是基于ArF技術(shù)制造的?！?/span>

他說：“如果美國政府將出口限制擴(kuò)大到包括ArF浸沒式光刻技術(shù)，三星電子和SK海力士幾乎不可能在中國擴(kuò)大存儲芯片的生產(chǎn)，因為它們無法引進(jìn)對制造至關(guān)重要的設(shè)備?！?/span>

三星電子可能不會優(yōu)先考慮在中國的擴(kuò)張，因為目前NAND閃存并不短缺。

該公司在京畿道平澤市（Pyeongtaek）的P3工廠已經(jīng)在建設(shè)中，有足夠的土地來建造三座工廠。